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SN74HCT02DR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SN74HCT02DR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN74HCT02DR价格参考。Texas InstrumentsSN74HCT02DR封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, NOR Gate IC 4 Channel 14-SOIC。您可以下载SN74HCT02DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SN74HCT02DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SN74HCT02DR 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款双输入四路 NAND 门逻辑芯片,属于 SN74HCT 系列。它主要应用于数字电路设计中,用于实现逻辑控制、信号处理和数据传输等功能。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 数字信号处理:SN74HCT02DR 可以用作基本的逻辑运算单元,执行 NAND 操作。通过组合多个 NAND 门,可以构建更复杂的逻辑功能,例如 AND、OR、NOT 和 XOR 门,从而实现信号的处理与转换。 2. 时序电路设计:在时钟信号生成或同步电路中,NAND 门可以与其他逻辑元件配合使用,构建触发器、计数器或分频器等电路,用于精确控制时序。 3. 数据路径控制:在微处理器或 FPGA 的外围电路中,SN74HCT02DR 可用于实现数据选择、地址解码或总线控制等功能,确保数据的正确传输和处理。 4. 驱动与电平转换:由于 HCT 系列支持 TTL 输入兼容和 CMOS 输出特性,SN74HCT02DR 可以用作不同逻辑电平之间的转换器,同时提供一定的驱动能力,适用于驱动 LED、继电器或其他低功率负载。 5. 编码与解码:在多路复用/解复用电路中,NAND 门可以用作基础逻辑单元,实现信号的选择性传递或分离。 6. 故障检测与诊断:在工业控制系统中,SN74HCT02DR 可用于监测传感器状态或设备运行情况,通过逻辑运算判断是否存在异常,并触发报警或保护机制。 总之,SN74HCT02DR 在各种需要逻辑运算和信号处理的场景中具有广泛的应用价值,尤其适合于对速度、功耗和兼容性有一定要求的数字电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14-SOIC逻辑门 Quadruple 2-Inputs Positive-NOR Gate |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,Texas Instruments SN74HCT02DR74HCT |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SN74HCT02DR |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 18ns @ 5.5V,50pF |
| 产品 | NOR |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 逻辑门 |
| 传播延迟时间 | 22 ns |
| 低电平输出电流 | 4 mA |
| 供应商器件封装 | 14-SOIC |
| 其它名称 | 296-14861-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 129.400 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-14 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极数量 | 4 Gate |
| 标准包装 | 1 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流-输出高,低 | 4mA,4mA |
| 电流-静态(最大值) | 2µA |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电路数 | 4 |
| 系列 | SN74HCT02 |
| 输入/输出线数量 | 2 / 1 |
| 输入数 | 2 |
| 输入线路数量 | 2 |
| 输出线路数量 | 1 |
| 逻辑电平-低 | 0.8V |
| 逻辑电平-高 | 2V |
| 逻辑类型 | 或非门 |
| 逻辑系列 | HCT |
| 高电平输出电流 | - 4 mA |