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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SMSD1002T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMSD1002T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMSD1002T1G价格参考。ON SemiconductorSMSD1002T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMSD1002T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMSD1002T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为SMSD1002T1G的ON Semiconductor双极晶体管（BJT）属于单晶体管类别，常用于需要高频率和低噪声放大的电路中。该器件采用小信号设计，适用于射频（RF）和模拟电路中的开关和放大应用。 其主要应用场景包括： 1. 射频前端模块：用于无线通信设备中的低噪声放大器或混频器，支持高频信号处理。 2. 开关电路：在数字控制电路中作为高速开关元件，适用于电源管理和信号路由。 3. 模拟放大器：用于音频或传感器信号的前置放大，具有良好的线性度和低失真特性。 4. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和无线耳机等，因其小型封装和低功耗特性而受到青睐。 5. 工业控制系统：用于传感器信号调理、继电器驱动或电机控制中的接口电路。 该晶体管采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费类电子、通信及工业控制领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SS NPN BIPO SOD123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMSD1002T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | - |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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