Datasheet下载- 型号： SIHD7N60ET1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHD7N60ET1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHD7N60ET1-GE3价格参考。VishaySIHD7N60ET1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHD7N60ET1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHD7N60ET1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHD7N60ET1-GE3 |
| 产品型号 | SIHD7N60ET1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 78 W |
| Pd-功率耗散 | 78 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 系列 | E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
SIHD7N60ET1-GE3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商