【未分类_SIGC109T120R3】封装/厂家_SIGC109T120R3中文资料_价格

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型号： SIGC109T120R3
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SIGC109T120R3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIGC109T120R3价格参考。InfineonSIGC109T120R3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SIGC109T120R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIGC109T120R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SIGC109T120R3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能碳化硅（SiC）沟槽式MOSFET单管，额定电压1200 V、连续漏极电流109 A（Tc=25°C），导通电阻典型值仅3.3 mΩ（VGS=20 V），具备低开关损耗、高开关频率、优异高温稳定性及强抗dv/dt能力。

其典型应用场景包括：  
• 工业电机驱动：用于中高压变频器（如HVAC、泵、压缩机驱动），支持高频PWM控制，提升系统效率与功率密度；  
• 新能源发电系统：作为光伏逆变器（尤其是组串式/集中式逆变器）中的升压级或逆变桥臂开关器件，显著降低损耗、提高MPPT效率和转换效率（>99%）；  
• 储能系统（ESS）双向变流器（PCS）：在DC-AC/AC-DC双向能量转换中实现高效、快速响应的充放电控制；  
• 电动汽车车载充电机（OBC）及DC-DC变换器：适用于800 V平台高压系统，支持高功率密度与小型化设计；  
• 不间断电源（UPS）与固态断路器：利用其快速关断与鲁棒性，提升系统可靠性与动态响应性能。

该器件采用TO-247-4L封装（带开尔文源极引脚），优化了栅极驱动稳定性和开关一致性，适用于对效率、热管理及系统尺寸要求严苛的高端电力电子应用。

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