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Datasheet下载- 型号： SI8821EDB-T2-E1
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SI8821EDB-T2-E1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8821EDB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供SI8821EDB-T2-E1价格参考以及VishaySI8821EDB-T2-E1封装/规格参数等产品信息。 你可以下载SI8821EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有SI8821EDB-T2-E1详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V MICRO FOOTMOSFET -30V 128mOhm@4.5V -2.3A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors SI8821EDB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8821EDB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| Qg-GateCharge | 5.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 128 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 128 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V to - 1.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V to - 1.3 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 128 毫欧 @ 1A， 4.5V |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8821EDB-T2-E1CT |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | TrenchFET Power MOSFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 0.8x0.8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | SI8821EDB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
