Datasheet下载- 型号： SI8809EDB-T2-E1
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8809EDB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8809EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8809EDB-T2-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8809EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8809EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8809EDB-T2-E1 是一款单N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器及通信设备的电源模块。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速开关响应和低导通电阻，减少功率损耗。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，实现高效率与过流保护功能。 4. 工业自动化：如PLC（可编程逻辑控制器）和工业电源中，作为高可靠性开关元件。 5. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明驱动和电动助力转向系统（EPS）中，满足车用环境对稳定性和耐久性的要求。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐高温特性，适用于高效率、小体积设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOTMOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8809EDB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8809EDB-T2-E1SI8809EDB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 900 mW |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| Qg-GateCharge | 6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 0.8x0.8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Single |
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