Datasheet下载- 型号： SI8405DB-T1-E1
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8405DB-T1-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8405DB-T1-E1价格参考。VishaySI8405DB-T1-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8405DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8405DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8405DB-T1-E1是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于降压或升压DC-DC转换器中的开关元件，能够高效地控制电压转换。 - 负载开关：在需要快速开启或关闭负载的电路中，SI8405DB-T1-E1可用作高效的开关器件。 - 电池管理系统（BMS）：用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于低功率电机的启动、停止和速度调节。 - H桥电路：在双向电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥的一部分，实现电机正转和反转。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于高频信号切换场景。 - 音频信号切换：可用于音频设备中的信号路径切换，确保低失真和高保真度。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻和高电流能力，设计过流保护电路以防止系统损坏。 - 短路保护：通过快速响应特性，检测并切断短路电流，保护下游电路。 5. 便携式电子设备 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理模块，支持高效能和小尺寸设计。 - 可穿戴设备：因其小型化封装（TrenchFET® Gen IV技术），非常适合空间受限的应用。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业传感器中用作开关或放大器驱动。 - 继电器替代：利用其固态特性，替代传统机械继电器以提高可靠性和寿命。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 小型封装：节省PCB空间，便于紧凑型设计。 综上所述，SI8405DB-T1-E1广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别是在需要高效、紧凑和可靠解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFPMOSFET 12V 4.9A 2.77W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8405DB-T1-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8405DB-T1-E1SI8405DB-T1-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.47 W |
| Pd-功率耗散 | 1.47 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8405DB-T1-E1CT |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 1.47W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/MICRO FOOT |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI8405DB-E1 |
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