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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8261BAD-C-IS由Silicon Laboratories设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8261BAD-C-IS价格参考。Silicon LaboratoriesSI8261BAD-C-IS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8261BAD-C-IS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8261BAD-C-IS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Silicon Labs的SI8261BAD-C-IS是一款高性能的隔离栅极驱动器,广泛应用于需要高可靠性、高速度和强抗干扰能力的场景。以下是其主要应用场景: 1. 工业自动化 - 在工业自动化系统中,该器件常用于驱动功率MOSFET或IGBT,以控制电机、逆变器和电源转换器。 - 提供电气隔离,保护低电压控制电路免受高压侧的影响,同时确保信号的快速传输。 2. 太阳能逆变器 - 用于光伏系统的DC-AC逆变器中,驱动功率开关器件(如IGBT或SiC MOSFET)。 - 其高共模瞬态抗扰度(CMTI)特性使其能够在复杂的电磁环境中稳定工作。 3. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV) - 在车载充电器(OBC)、牵引逆变器和DC-DC转换器中,SI8261BAD-C-IS可用于驱动高压侧开关。 - 支持宽禁带半导体(如SiC和GaN),提高系统效率和功率密度。 4. 通信电源 - 在电信基站的电源模块中,用于隔离驱动功率开关,确保高效能量转换。 - 其低传播延迟和精确的死区时间控制有助于减少开关损耗。 5. 医疗设备 - 在需要电气隔离的医疗设备(如超声波设备、MRI电源)中,提供安全可靠的栅极驱动解决方案。 - 符合严格的医疗行业标准,确保患者和操作人员的安全。 6. 消费类电子产品 - 在高端消费电子产品的电源适配器和快充模块中,用于驱动高频开关器件。 - 提供紧凑的设计和高效的性能,满足小型化需求。 核心优势: - 高隔离电压:支持高达3kV rms的隔离电压,适用于高压环境。 - 快速响应:具有低传播延迟和窄延迟匹配,适合高频应用。 - 强抗干扰能力:高CMTI性能(>75 kV/μs),适应恶劣电磁环境。 - 宽温度范围:可在-40°C至+125°C范围内稳定工作,适用于各种极端条件。 综上,SI8261BAD-C-IS凭借其卓越的性能和可靠性,成为众多高压、高频应用场景中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 隔离器 |
描述 | IC ISO DRIVER 5KV 1CH 4A 6SOIC |
产品分类 | 光隔离器 - 栅极驱动器 |
品牌 | Silicon Laboratories Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI8261BAD-C-IS |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
上升/下降时间(典型值) | 5.5ns, 8.5ns |
传播延迟tpLH/tpHL(最大值) | 60ns, 50ns |
供应商器件封装 | 6-SDIP |
共模瞬态抗扰度(最小值) | 35kV/µs |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
技术 | 容性耦合 |
标准包装 | 96 |
电压-正向(Vf)(典型值) | 2.8V (最小值) |
电压-电源 | 5 V ~ 30 V |
电压-隔离 | 5000Vrms |
电流-DC正向(If) | 30mA |
电流-峰值输出 | 4A |
电流-输出高,低 | 500mA, 1.2A |
脉宽失真(最大) | 10ns (标准) |
认可 | CQC, CSA, UR, VDE |
通道数 | 1 |