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Datasheet下载- 型号： SI7956DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SI7956DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7956DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供SI7956DP-T1-GE3价格参考以及VishaySI7956DP-T1-GE3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载SI7956DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有SI7956DP-T1-GE3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7956DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7956DP-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A |
