【SI6981DQ-T1-GE3/规格参数】厂家_SI6981DQ-T1-GE3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SI6981DQ-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SI6981DQ-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI6981DQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供SI6981DQ-T1-GE3价格参考以及VishaySI6981DQ-T1-GE3封装/规格参数等产品信息。你可以下载SI6981DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6981DQ-T1-GE3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOPMOSFET 20V 4.8A 1.14W 31mohm @ 4.5V
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	4.8 A
Id-连续漏极电流	4.8 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?72226
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6981DQ-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI6981DQ-T1-GE3SI6981DQ-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	1.14 W
Pd-功率耗散	1.14 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	31 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	31 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	900mV @ 300µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	31 毫欧 @ 4.8A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-TSSOP
其它名称	SI6981DQ-T1-GE3CT
功率-最大值	830mW
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
封装/箱体	TSSOP-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.1A
系列	SI6981DQ
配置	Dual
零件号别名	SI6981DQ-GE3

样品试用

万种样品免费试用

去申请