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- 型号： SI6463DQ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6463DQ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6463DQ价格参考。Fairchild SemiconductorSI6463DQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6463DQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6463DQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI6463DQ 是 Vishay（威世）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 8-Lead PowerPAK® SO-8 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 5.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 50 A）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck/Boost 转换器，提升效率并降低温升； - 负载开关与电源管理：在主板、GPU 供电模块或热插拔电路中作为高效、快速响应的主控开关； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的 H 桥驱动单元（常作为上/下半桥器件）； - 电池管理系统（BMS）：用于保护电路中的充放电主回路控制，支持大电流通断与过流保护； - LED 驱动与照明电源：在高亮度 LED 恒流驱动电路中实现 PWM 调光与高效能量传递。 该器件具备雪崩耐受能力、100% Rg 测试及符合 RoHS 标准，适合高可靠性、高功率密度设计。需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 1.5–2.5 V），建议使用 ≥4.5 V 驱动电压以确保充分导通，并配合合理 PCB 散热设计（如敷铜面积≥2 cm²）以维持稳定工作温度。
产品参数
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