Datasheet下载- 型号： SI5481DU-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5481DU-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5481DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5481DU-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5481DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5481DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5481DU-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 负载开关：控制电路中负载的开启和关闭，实现快速响应和低导通电阻（Rds(on)）以减少功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：在电池保护电路中用作开关，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动风扇、泵或其他小型电机，提供精确的速度和方向控制。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 消费电子设备 - 笔记本电脑和智能手机：用于充电电路、电池保护和电源分配。 - 音频放大器：在 D 类放大器中用作开关元件，提高效率并降低热量产生。 4. 工业应用 - 工业自动化：在可编程逻辑控制器 (PLC) 和传感器接口中用作开关。 - LED 驱动器：用于高亮度 LED 照明系统的恒流控制，确保稳定发光。 5. 通信设备 - 基站电源：在电信设备中用于高效的电源分配和管理。 - 信号调节：用于高频信号路径中的开关应用。 6. 汽车电子 - 车载电子系统：如电动窗、雨刷器和座椅加热器等的控制开关。 - 新能源汽车 (EV/HEV)：在电池管理系统和辅助电源模块中发挥重要作用。 SI5481DU-T1-GE3 的特点包括低导通电阻（典型值为 1.8mΩ）、高电流能力（最大 drain 电流可达 90A）以及出色的热性能，使其非常适合上述应用场景，同时能够满足高效率和紧凑设计的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI5481DU-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFET 单通道 |
| 功率-最大值 | 17.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 单 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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