【SI4823DY-T1-GE3/规格参数】厂家_SI4823DY-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI4823DY-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI4823DY-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4823DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供SI4823DY-T1-GE3价格参考以及VishaySI4823DY-T1-GE3封装/规格参数等产品信息。你可以下载SI4823DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4823DY-T1-GE3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
Ciss-输入电容	330 pF
描述	MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOICMOSFET 20V 4.1A P-CH MOSFET w/Shottky
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	二极管（隔离式）
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	3.3 A
Id-连续漏极电流	3.3 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4823DY-T1-GE3LITTLE FOOT®
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产品型号	SI4823DY-T1-GE3SI4823DY-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	2.8 W
Pd-功率耗散	2.8 W
Qg-GateCharge	8 nC
Qg-栅极电荷	8 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	108 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	108 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1.5 V
上升时间	40 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	660pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	108 毫欧 @ 3.3A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	SI4823DY-T1-GE3DKR
典型关闭延迟时间	18 ns
功率-最大值	2.8W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	6 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.1A （Tc）
配置	Single
零件号别名	SI4823DY-GE3