Datasheet下载- 型号： SI3424DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3424DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3424DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3424DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3424DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3424DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3424DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，因其导通电阻低、开关速度快，有助于提高电源转换效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备，用于电池保护和电源切换，以延长电池寿命。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，控制电机的启停和方向。 4. LED照明：用于LED驱动电路中，实现亮度调节和恒流控制。 5. 工业自动化：在PLC、传感器和执行器电路中用于信号切换和功率控制。 6. 通信设备：用于基站、路由器和交换机中的电源模块，实现高效能和小型化设计。 该MOSFET封装小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于需要节能和高性能的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3424DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 6.7A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
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