【SH8K2TB1/规格参数】厂家_SH8K2TB1中文资料_价格

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型号： SH8K2TB1
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SH8K2TB1产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-连续漏极电流	6 A
品牌	Rohm Semiconductor
产品手册
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8K2TB1-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SH8K2TB1
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
RdsOn-漏源导通电阻	33 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	520pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10.1nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	30 毫欧 @ 6A，10V
产品目录绘图
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOP（5.0x6.0）
其它名称	SH8K2TB1TR
功率-最大值	2W
包装	带卷（TR）
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	33 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SMD，鸥翼型
封装/箱体	SOP-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	4 S
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	6 A
漏源极电压(Vdss)	30V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A