Datasheet下载- 型号： SGL60N90DG3TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGL60N90DG3TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGL60N90DG3TU价格参考。Fairchild SemiconductorSGL60N90DG3TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGL60N90DG3TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGL60N90DG3TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGL60N90DG3TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于多种电力电子应用。 该型号的主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于高效地进行电能转换与调节。 2. 电机驱动：在直流电机或无刷直流电机控制电路中作为功率开关，广泛应用于工业自动化、电动车、电动工具等领域。 3. 逆变器系统：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，实现直流电到交流电的高效转换。 4. 电池管理系统（BMS）：在高功率电池组中作为充放电控制开关，常见于储能系统和电动汽车中。 5. 负载开关与电源管理：在需要高效率和快速开关性能的负载控制电路中使用，如服务器电源、工业控制系统等。 综上，SGL60N90DG3TU适用于对效率、可靠性要求较高的功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 900V 60A 180W TO264 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 260nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SGL60N90DG3TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，60A |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 1.5µs |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 375 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 900V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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