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  • 型号: SGB15N120
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGB15N120由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGB15N120价格参考。InfineonSGB15N120封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGB15N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGB15N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

18ns/580ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

52A

描述

IGBT 1200V 30A 198W TO263-3

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

130nC

IGBT类型

NPT

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SGB15N120_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4279ebd3c7e

产品图片

产品型号

SGB15N120

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

1.9mJ

TestCondition

800V, 15A, 33 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

3.6V @ 15V,15A

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

SGB15N120ATMA1
SP000012560

功率-最大值

198W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30A

输入类型

标准

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