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- 型号： SFT1342-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1342-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1342-TL-E价格参考。ON SemiconductorSFT1342-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SFT1342-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFT1342-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SFT1342-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度及良好的热性能。其典型应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备、笔记本电脑主板及通信模块中的高效、紧凑型电源管理。 • 负载开关与电源路径管理：凭借低阈值电压（VGS(th) ≈ 1.0–2.5 V）和逻辑电平兼容特性，可直接由3.3 V或5 V MCU GPIO驱动，常用于USB供电切换、电池充放电路径控制、热插拔保护等。 • 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥低端驱动，以及中功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关。 • 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、IoT传感器节点、打印机电源模块等对尺寸、效率和可靠性有要求的场景。 该器件符合AEC-Q101标准（车规级），具备一定抗浪涌和ESD能力，但需注意其额定电压为30 V（VDSS），最大连续漏极电流为9.5 A（TC=25°C），设计时应合理选配散热措施与栅极驱动电路以保障长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SFT1342-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 700 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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