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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SE5230DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SE5230DR2G价格参考。ON SemiconductorSE5230DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SE5230DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SE5230DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SE5230DR2G是一款高性能、宽频带的运算放大器,属于线性放大器类别,适用于对信号精度和稳定性要求较高的工业与军事应用场景。该器件具有高增益带宽积、优异的温度稳定性和较强的驱动能力,工作温度范围宽(-55°C 至 +125°C),采用TSSOP-8封装,适合在严苛环境中使用。 典型应用场景包括:精密信号调理电路,如传感器信号放大与处理;工业自动化系统中的模拟前端,用于压力、温度、应变等物理量的采集放大;测试与测量设备,如示波器、数据采集系统中的高速放大环节;以及航空航天和国防领域的高可靠性电子系统。此外,SE5230DR2G也可用于高性能音频放大、有源滤波器和电压跟随器等电路中。 由于其具备良好的动态响应和低失真特性,该型号特别适合需要高保真信号放大的场合。同时,其增强的抗干扰能力和稳定的输出性能,使其在复杂电磁环境中仍能可靠运行。因此,SE5230DR2G广泛应用于对长期稳定性与环境适应性要求严格的高端工业及军用设备中。
参数 | 数值 |
-3db带宽 | - |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC |
产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SE5230DR2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
压摆率 | 0.25 V/µs |
增益带宽积 | 600kHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
放大器类型 | 通用 |
标准包装 | 2,500 |
电压-电源,单/双 (±) | 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V |
电压-输入失调 | 400µV |
电流-电源 | 1.1mA |
电流-输入偏置 | 40nA |
电流-输出/通道 | 32mA |
电路数 | 1 |
输出类型 | 满摆幅 |