【未分类_SCH1402-TL-E】封装/厂家_SCH1402-TL-E中文资料_价格

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型号： SCH1402-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SCH1402-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH1402-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySCH1402-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SCH1402-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCH1402-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SCH1402-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道增强型MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大应用优化。其典型应用场景包括：  
- 5G Sub-6 GHz蜂窝基站前端模块：适用于TDD-LTE及5G NR频段（如2.3–2.7 GHz），作为末级驱动或中功率输出级，支持高增益与高线性度；  
- 小型基站（Small Cell）与毫微微基站（Femtocell）：凭借低热阻（θJC ≈ 2.5°C/W）、紧凑DFN5封装（2.9 mm × 2.8 mm）及优异的RF可靠性，适合空间受限的高密度部署；  
- 无线基础设施中的宽带功率放大器（PA）：支持DC–3.5 GHz工作频率，具备高fT（>10 GHz）、低输入电容（Ciss ≈ 1.3 pF）和良好热稳定性，适用于多频段宽带PA设计；  
- 工业/医疗射频源：如RF加热、等离子体发生器等中功率连续波（CW）或脉冲应用，得益于其15 V耐压、300 mA连续漏极电流及稳健的ESD防护能力（HBM > 2 kV）。  
该器件采用硅基工艺，兼顾成本与性能，常配合匹配网络与偏置电路用于Class AB或Class A PA拓扑，广泛应用于通信设备制造商与射频模块方案商的设计中。

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