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- 型号： SCH1301-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCH1301-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH1301-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySCH1301-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SCH1301-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCH1301-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SCH1301-TL-E 是一款由罗姆（ROHM）半导体推出的P沟道增强型MOSFET，采用小型TSMT3封装（2.9 mm × 2.8 mm），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 145 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg = 2.1 nC）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与小尺寸实现高效关断与反向电流阻断。 2. DC-DC转换器的同步整流/高边开关：适用于降压型（Buck）转换器中作为高侧P-MOSFET，配合控制器实现高效、紧凑的电源设计（尤其在输入电压≤12 V的低压系统中）。 3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED灯串的调光/使能开关，支持PWM频率达数百kHz，响应快、发热低。 4. 电机驱动（微型）：适用于微型振动马达、蜂鸣器或小风扇的H桥或单路驱动中的上桥臂开关，兼顾成本与可靠性。 5. USB接口过压/过流保护及热插拔控制：作为电源路径管理开关，配合保护IC实现快速关断与浪涌抑制。 该器件额定耐压–20 V，连续漏极电流–2.5 A（Tc = 25°C），适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率应用，不适用于高压或大电流工业场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2.4A SCH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SCH1301-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-SCH |
| 其它名称 | 869-1193-6 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
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