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  • 型号: SBR6200CTL-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SBR6200CTL-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBR6200CTL-13价格参考。Diodes Inc.SBR6200CTL-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBR6200CTL-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBR6200CTL-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的SBR6200CTL-13是一款基于肖特基整流器技术的二极管阵列,主要应用于需要高效、低正向电压降(Vf)和快速恢复时间的场景。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:在开关电源或DC-DC转换器中,SBR6200CTL-13可以用作同步整流器或输出整流器,提供高效的能量转换,降低功耗。
   - 电压调节模块(VRM):用于计算机主板、显卡等设备中的电压调节电路,确保稳定供电。

 2. 电池充电与保护
   - 电池充电电路:适用于便携式电子设备(如手机、平板电脑)的充电电路中,减少充电过程中的能量损耗。
   - 反向电流保护:防止电池在断开时因反向电流导致损坏。

 3. 通信设备
   - 电信基础设施:在基站、路由器和其他通信设备中,作为高效整流器使用,支持长时间稳定运行。
   - 信号隔离:利用二极管的单向导电特性,实现信号路径的隔离。

 4. 汽车电子
   - 车载电源系统:用于汽车电子控制单元(ECU)、信息娱乐系统等,提供稳定的电源供应。
   - 负载突降保护:在汽车启动或停止时,防止电压波动对敏感电子元件的影响。

 5. 消费电子产品
   - USB充电接口:在USB充电器或快充适配器中,提供高效的整流功能,支持快速充电。
   - 音频设备:在音响、耳机放大器等设备中,确保电源供应的纯净性和稳定性。

 6. 工业应用
   - 电机驱动:在小型电机驱动电路中,作为整流器或续流二极管使用,提高效率并减少热量产生。
   - 逆变器:用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中,支持高效的直流到交流转换。

 特性优势:
- 低正向电压降:减少功率损耗,提高整体效率。
- 高浪涌能力:能够承受瞬时大电流冲击,适合复杂工作环境。
- 小封装尺寸:节省PCB空间,便于设计紧凑型产品。

总之,SBR6200CTL-13凭借其高效、可靠和紧凑的设计,广泛应用于各种需要高性能整流的场景中,特别是在低功耗和高效率要求的关键领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SBR 200V 3A TO252肖特基二极管与整流器 SUPER BARRIER RECTIFIER,6.0A,200V

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated SBR6200CTL-13SBR®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SBR6200CTL-13

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

850mV @ 3A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100µA @ 200V

二极管类型

超级势垒

二极管配置

1 对共阴极

产品

Schottky Rectifiers

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

SBR6200CTL-13DIDKR

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

-

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252

峰值反向电压

200 V

工作温度范围

- 65 C to + 175 C

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

10 mA

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

80 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向电压下降

0.7 V

热阻

2°C/W Jc

电压-DC反向(Vr)(最大值)

200V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

3A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

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