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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBR12U100P5-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBR12U100P5-13价格参考。Diodes Inc.SBR12U100P5-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBR12U100P5-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBR12U100P5-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 SBR12U100P5-13 是一款超快恢复整流器二极管,属于 Schottky Barrier Rectifier (SBR) 系列。该型号的主要应用场景如下: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):SBR12U100P5-13 可用于开关电源中的整流部分,提供高效的电压转换和电流整流功能。 - DC-DC 转换器:适用于降压或升压 DC-DC 转换器,确保高效率的能量传输。 - 线性电源:在需要低功耗和高效整流的线性电源设计中,这款二极管表现出色。 2. 逆变器与电机驱动 - 太阳能逆变器:用于将直流电转换为交流电的过程中,提供快速响应和低损耗的整流性能。 - 电机控制电路:在电机驱动电路中,该二极管可用于保护电路免受反向电动势的影响,并提高系统的可靠性。 3. 电池充电与保护 - 电池充电器:在充电器电路中,该二极管可以防止电流反向流动,保护电池和充电器。 - 过压/欠压保护:通过其快速恢复特性,可以在异常情况下迅速切断电流路径,保护设备。 4. 通信设备 - 电信电源模块:在通信基站或其他电信设备的电源模块中,这款二极管能够提供稳定的电流输出。 - 数据传输接口:用于保护数据接口免受静电放电 (ESD) 和瞬态电压的影响。 5. 汽车电子 - 车载电源系统:在汽车电子中,该二极管可用于车载充电器、LED 驱动器等应用,确保高效能量转换。 - 启动保护电路:在汽车启动时,防止电流反向流动,保护敏感电子元件。 6. 消费类电子产品 - 家用电器:如电视、音响、空调等设备中的电源整流部分。 - 便携式设备:如笔记本电脑适配器、移动电源等,提供高效且可靠的整流功能。 特性优势 - 低正向压降:减少功率损耗,提高整体效率。 - 超快恢复时间:适合高频应用,降低开关损耗。 - 高浪涌能力:增强对瞬态电流的耐受能力,提升系统可靠性。 综上所述,SBR12U100P5-13 广泛应用于需要高效整流、快速响应和高可靠性的场景,特别适合电源管理、通信设备和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SBR肖特基二极管与整流器 12A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated SBR12U100P5-13SBR® |
数据手册 | |
产品型号 | SBR12U100P5-13 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 710mV @ 12A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 250µA @ 100V |
二极管类型 | 超级势垒 |
产品 | Schottky Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | PowerDI®5 |
其它名称 | SBR12U100P5-13DI |
包装 | 带卷 (TR) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Diodes Incorporated |
商标名 | POWERDI |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerDI™ 5 |
封装/箱体 | POWERDI5 |
峰值反向电压 | 100 V |
工作温度-结 | * |
工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 40 mA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 250 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 5,000 |
正向电压下降 | 0.71 V |
正向连续电流 | 12 A |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
电流-平均整流(Io) | 12A |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |