RW1S0BAR010FET产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RW1S0BAR010FET由Ohmite设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供RW1S0BAR010FET价格参考以及OhmiteRW1S0BAR010FET封装/规格参数等产品信息。 你可以下载RW1S0BAR010FET参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有RW1S0BAR010FET详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ohmite RW1S0BAR010FET 是一款高精度、低阻值（0.01 Ω）、1%容差、1W功率的表面贴装厚膜电流检测电阻（Shunt Resistor），采用1206封装（3.2 mm × 1.6 mm）。其核心应用场景聚焦于高可靠性电流采样与监测，尤其适用于对精度、温漂和长期稳定性要求较高的场合。

典型应用包括：  
- 电源管理系统（如DC-DC转换器、服务器VRM、工业电源）中的输出电流实时监测与过流保护；  
- 电池管理系统（BMS）中充放电电流精确检测，支持SOC估算与安全保护；  
- 电机驱动与变频器中IGBT/ MOSFET回路的电流反馈控制；  
- 工业自动化设备（PLC模块、电流环路变送器）中的4–20 mA信号调理与校准；  
- 测试测量仪器（如电子负载、源表）中的高精度电流传感单元。

该器件具备低TCR（±100 ppm/°C）、四端子结构（Kelvin连接设计，可选配开尔文焊盘布局以减小引线电阻影响）、良好的脉冲耐受能力及AEC-Q200兼容性（适用于部分车载辅助系统），适合在-55°C至+170°C宽温域下稳定工作。需注意PCB布局时应采用对称焊盘与开尔文走线，以最大限度发挥其0.01 Ω级精度优势。

RW1S0BAR010FET产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RW1S0BAR010FET由OHMITE MANUFACTURING CO设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供RW1S0BAR010FET价格参考以及OHMITE MANUFACTURING CORW1S0BAR010FET封装/规格参数等产品信息。 你可以下载RW1S0BAR010FET参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有RW1S0BAR010FET详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ohmite RW1S0BAR010FET 是一款高精度、低阻值（0.01 Ω）、1%容差、1W功率的表面贴装厚膜电流检测电阻（Shunt Resistor），采用1206封装（3.2 mm × 1.6 mm）。其核心应用场景聚焦于高可靠性电流采样与监测，尤其适用于对精度、温漂和长期稳定性要求较高的场合。

典型应用包括：  
- 电源管理系统（如DC-DC转换器、服务器VRM、工业电源）中的输出电流实时监测与过流保护；  
- 电池管理系统（BMS）中充放电电流精确检测，支持SOC估算与安全保护；  
- 电机驱动与变频器中IGBT/ MOSFET回路的电流反馈控制；  
- 工业自动化设备（PLC模块、电流环路变送器）中的4–20 mA信号调理与校准；  
- 测试测量仪器（如电子负载、源表）中的高精度电流传感单元。

该器件具备低TCR（±100 ppm/°C）、四端子结构（Kelvin连接设计，可选配开尔文焊盘布局以减小引线电阻影响）、良好的脉冲耐受能力及AEC-Q200兼容性（适用于部分车载辅助系统），适合在-55°C至+170°C宽温域下稳定工作。需注意PCB布局时应采用对称焊盘与开尔文走线，以最大限度发挥其0.01 Ω级精度优势。