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Datasheet下载- 型号： RSX201L-30TE25
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RSX201L-30TE25产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSX201L-30TE25由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSX201L-30TE25价格参考。ROHM SemiconductorRSX201L-30TE25封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 30V 2A PMDS。您可以下载RSX201L-30TE25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSX201L-30TE25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSX201L-30TE25 是一款额定电流2A、反向重复峰值电压30V的肖特基势垒整流二极管（单管封装），尽管品牌标注为“unknow”，但其型号命名符合ROHM（罗姆）典型编码规则（如RSX系列），实际多为ROHM原厂或兼容型号。该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，具备低正向压降（典型值0.45V@2A）、快速开关特性（反向恢复时间＜10ns）及优异热性能。 主要应用场景包括： 1. 低压直流电源整流：广泛用于USB供电设备、便携式电子（如蓝牙耳机、智能手环）的次级侧整流，尤其适配5V/3.3V等低电压输入系统，可减少功耗与温升； 2. DC-DC转换器续流二极管：在同步整流难以实施的小功率Buck电路中，作为高效续流路径，提升转换效率（较普通PN二极管降低约10–15%损耗）； 3. 极性保护与反向电压钳位：用于电池供电设备（如IoT传感器节点）输入端防接反保护，利用其低压降特性最大限度保留有效电压； 4. 高频开关电源辅助绕组整流：在反激式电源反馈绕组中提供稳定偏置电压，兼顾小尺寸与可靠性。 需注意：其30V耐压限制了在高压场景的应用，不适用于AC-DC主整流或工业级高瞬态环境；设计时应确保PCB散热焊盘充足，并避免持续满载工作以维持结温安全。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDS肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY HIGH EFFICIENCY |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ROHM Semiconductor RSX201L-30TE25- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSX201L-30TE25 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 440mV @ 2A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | RSX201L-30TE25CT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 150 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 60 A |
| 最小工作温度 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.44 V |
| 正向连续电流 | 2 A |
| 热阻 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/rohm/frd.html |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 2A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
