Datasheet下载- 型号： RSS075P03TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS075P03TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS075P03TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS075P03TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS075P03TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS075P03TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS075P03TB 是罗姆（ROHM）半导体推出的P沟道增强型MOSFET，采用小型TSOP-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 7.5 mΩ @ VGS = –10 V）、高开关速度及优异的热稳定性。其典型应用场景包括： 1. 负载开关（Load Switch）：广泛用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）的电源管理模块中，实现对背光LED驱动、USB接口供电、SIM卡/SD卡供电等子系统的高效通断控制，支持低功耗待机与快速响应。 2. 电源反向保护电路：利用P-MOSFET体二极管方向特性，常置于电池输入端（如锂电池供电系统），防止反接或意外反向电压损坏后级IC，提升系统可靠性。 3. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）型DC-DC转换器中作为同步整流管（尤其适用于中低电流输出场景，如3–5A），替代肖特基二极管，显著降低导通损耗、提升转换效率（尤其在低压大电流应用中）。 4. H桥电机驱动中的上桥臂或逻辑电平控制单元：配合N-MOSFET构成半桥，用于小功率有刷直流电机（如摄像头云台、微型风扇、打印机进纸机构）的正反转与PWM调速控制。 该器件额定电压为–30 V，连续漏极电流达–12 A（Tc=25°C），具备100%通过AEC-Q101车规级可靠性认证，亦适用于工业控制、车载USB充电模块等对稳定性和温度适应性要求较高的场景。其小尺寸与低热阻设计特别适合空间受限的高密度PCB布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS075P03TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSS075P03TBCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Ta） |
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