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- 型号： RSQ025P03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ025P03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ025P03TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ025P03TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSQ025P03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSQ025P03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSQ025P03TR 是罗姆（ROHM）半导体推出的P沟道增强型MOSFET，采用小型TSMT3封装（2.9×2.8×0.8 mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值25 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低阈值电压（Vth ≈ –1.0 V至–2.5 V）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用其低RDS(on)和小尺寸实现高效率与紧凑布局； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为高边或低边开关（配合N-MOSFET），提升转换效率； 3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的电流调节与PWM调光开关； 4. 汽车电子辅助模块：适用于车载USB充电器、车灯控制、传感器供电等AEC-Q101兼容（注：该型号非车规级，需确认具体版本；标准版适用于消费/工业级，车规应用需选用带“A”后缀的AEC-Q101认证型号）； 5. 工业与家电的低压逻辑控制：如电机驱动（小功率风扇/泵）、继电器替代、I/O端口电平转换与反向控制。 其30 V耐压、2.5 A连续漏极电流（ID）及内置ESD保护，使其特别适合3.3 V / 5 V系统中的高效、低功耗开关应用。设计时建议注意PCB散热及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSQ025P03TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RSQ025P03DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
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