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Datasheet下载- 型号： RSH065N03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RSH065N03TB1产品简介：
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Rohm Semiconductor 的 RSH065N03TB1 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装（HSOP8），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 6.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高耐压（VDSS = 30 V）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于笔记本电脑、服务器、通信设备中的同步降压（Buck）转换器，作为高效率主开关或同步整流管，提升转换效率并减小温升。 - 电机驱动电路：适用于小型无刷直流（BLDC）电机或步进电机的 H 桥驱动，尤其在电动工具、无人机电调、家用电器（如吸尘器、风扇）中承担功率开关功能。 - 负载开关与电源管理：用于主板/模块级的电源轨控制（如 USB PD 供电路径、电池充放电保护电路），凭借低 RDS(on) 和快速开关特性，实现高效通断与低功耗待机。 - LED 驱动与照明系统：在智能照明或汽车 LED 前照灯/尾灯的恒流驱动中，作为 PWM 调光主控开关，支持高频调制且热损耗小。 该器件支持 4.5 V 逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值 1.5 V），兼容常见 MCU 和驱动 IC；HSOP8 封装具备优异散热能力（带裸焊盘），适合紧凑型高功率密度设计。注意需配合合理 PCB 散热布局及栅极驱动优化，以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8MOSFET Nch 30V 6.5A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSH065N03TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSH065N03TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSH065N03TB1TR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Ta） |
