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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD046P05TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD046P05TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD046P05TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSD046P05TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSD046P05TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor 的 RSD046P05TL 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,采用小型 TSMT6(也称 SOT-23-6)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 46 mΩ @ VGS = −10 V)、额定电压 −50 V、连续漏极电流 −3.5 A(TA = 25°C),具备内置 ESD 保护与快速开关特性。 其典型应用场景包括: ✅ 负载开关:广泛用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中的电源域管理,实现低功耗待机控制与高效上电/断电; ✅ 电池保护电路:在锂电池充电/放电路径中作为反向电流阻断开关(如充放电保护板中的充电截止或放电过流保护开关); ✅ DC-DC 转换器同步整流:适用于降压(Buck)转换器的高边或低边同步整流,提升转换效率(尤其在 3.3 V–12 V 输入系统中); ✅ LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的调光开关或背光电源通断控制; ✅ H 桥与电机驱动:作为低压直流有刷电机(如微型风扇、振动马达)驱动电路中的半桥开关元件之一。 该器件的小尺寸、低栅极电荷(Qg ≈ 7.5 nC)及优异热性能,使其特别适合空间受限、对能效和响应速度要求较高的消费电子与工业控制应用。需注意其为 P 沟道结构,驱动简单(逻辑电平兼容,常用于高侧开关),但须确保栅源电压满足开启条件(VGS ≤ −4.5 V 典型)。