【未分类_RS1E150GNTB】封装/厂家_RS1E150GNTB中文资料_价格

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型号： RS1E150GNTB
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RS1E150GNTB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RS1E150GNTB价格参考。ROHM SemiconductorRS1E150GNTB封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RS1E150GNTB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RS1E150GNTB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RS1E150GNTB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT3封装（2.9mm × 2.8mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅15mΩ @ VGS=10V）、高开关速度及优异的热性能。其额定电压为150V，连续漏极电流ID可达4.5A（Tc=25℃），适合中低压、中功率开关应用。

典型应用场景包括：  
- DC-DC电源转换器：如车载USB充电模块、工业辅助电源中的同步整流或主开关管；  
- 电机驱动电路：用于小功率有刷直流电机（如汽车座椅调节、车窗升降、风扇控制）的H桥或单边驱动；  
- LED照明驱动：在PWM调光恒流驱动电路中作开关元件，支持高频调光且损耗低；  
- 电池管理系统（BMS）：用于充放电路径保护、电池均衡开关或负载开关；  
- 消费电子与IoT设备：如便携式设备电源管理、智能电表、传感器节点的负载控制等，得益于其小尺寸和低功耗特性。

该器件内置ESD保护（HBM Class 2），具备良好的雪崩耐量（UIS rated），适用于对可靠性与空间敏感的严苛环境（如汽车电子符合AEC-Q101标准）。其低栅极电荷（Qg≈7.5nC）利于降低驱动损耗，适配MCU直接驱动或搭配简易栅极驱动器使用。

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