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- 型号： RRS130N03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRS130N03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRS130N03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRS130N03TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRS130N03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRS130N03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRS130N03TB1 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT3封装（2.9×2.8×0.8 mm），具有低导通电阻（RDS(on) typ. 13 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度、强雪崩耐量及优异的热性能。其额定电压为30 V，连续漏极电流达12 A（Tc = 25°C），适合中低压、中电流高频开关应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：如手机快充模块、USB PD适配器中的同步整流或主开关管； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中的充/放电控制开关（如过流/短路保护的后级驱动）； ✅ 电机驱动：小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥下管，尤其适用于便携式设备（如电动工具、无人机电调、智能家电）； ✅ LED照明驱动：在PWM调光电路中作为高效开关器件； ✅ 负载开关（Load Switch）：为FPGA、MCU等供电模块提供受控上电/断电功能，利用其低RDS(on)减小压降与功耗。 该器件具备100% ESD防护能力（HBM Class 2），支持无铅回流焊，适用于空间受限、能效要求高的消费电子与工业嵌入式系统。需注意在PCB布局中优化散热路径（如充分铺铜）以发挥其温升优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RRS130N03TB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RRS130N03TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
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