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  • 型号: RRS070N03TB1
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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RRS070N03TB1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RRS070N03TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供RRS070N03TB1价格参考以及ROHM SemiconductorRRS070N03TB1封装/规格参数等产品信息。 你可以下载RRS070N03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有RRS070N03TB1详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RRS070N03TB1 是罗姆(ROHM)半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用小型表面贴装封装(如TSMT6),具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅7.0 mΩ @ VGS=10V)、高开关速度、低栅极电荷(Qg约12 nC)及优良热性能。其额定电压为30V,连续漏极电流达15A(Tc=25°C),适合中低压、中功率应用。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换器:广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器的主开关或同步整流管,提升转换效率(尤其在便携设备、USB PD适配器中);  
✅ 电机驱动电路:适用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动单元,支持高频PWM调速;  
✅ 负载开关与电源管理:在智能手机、平板、TWS耳机等便携设备中,用作电池供电路径控制、USB端口过流保护或系统级电源域切换;  
✅ LED驱动:作为恒流源开关,用于背光驱动或智能照明模块;  
✅ 工业与汽车电子:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级版本),可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、LED车灯驱动等对可靠性要求较高的场景。

其小尺寸、低热阻和强鲁棒性(内置ESD保护、雪崩耐量达标),使其在空间受限且需高能效的嵌入式系统中极具优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

RRS070N03TB1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 7A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

RRS070N03TB1CT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Ta)

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