Datasheet下载- 型号： RRH050P03GZETB
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRH050P03GZETB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRH050P03GZETB价格参考。ROHM SemiconductorRRH050P03GZETB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRH050P03GZETB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRH050P03GZETB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRH050P03GZETB 是罗姆（ROHM）半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 50 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg = 3.0 nC）及快速开关特性。其额定电压为–30 V，连续漏极电流ID为–5.0 A（Tc = 25°C），适合低压、中等电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路（过放/反向充电防护）； ✅ DC-DC转换器：用于同步降压（Buck）转换器的高边或低边开关（尤其适配3.3 V/5 V输入系统），提升轻载效率； ✅ LED驱动与背光控制：作为PWM调光开关，实现低功耗、高响应的LED电流通断控制； ✅ 电机驱动辅助电路：在微型马达（如振动马达、风扇）的H桥驱动中用作逻辑电平控制开关或续流路径管理； ✅ USB接口保护与热插拔控制：利用其快速关断能力防止浪涌电流和反向电流，保障端口安全。 该器件具备ESD保护（HBM ≥ 2000 V），支持3.3 V逻辑电平直接驱动（Vgs(th)范围–1.0 V至–2.5 V），无需额外电平转换，显著简化电路设计并节省PCB空间。适用于对尺寸、能效与可靠性要求严苛的消费类及工业级嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RRH050P03GZETB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RRH050P03GZETBDKR |
| 功率-最大值 | 650mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
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