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  • 型号: RQ1C065UNTR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RQ1C065UNTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RQ1C065UNTR价格参考。ROHM SemiconductorRQ1C065UNTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RQ1C065UNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RQ1C065UNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RQ1C065UNTR是一款N沟道、逻辑电平增强型MOSFET(单管),采用小型TSMT3封装(2.9mm × 2.8mm),具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅45mΩ @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg≈4.5nC)及快速开关特性。其额定电压为60V,连续漏极电流ID可达3.5A(Tc=25℃),适合中低压、中功率开关应用。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:用于同步整流BUCK/BOOST转换器的下管或高边开关(配合驱动电路),提升效率;  
✅ 电池供电设备电源管理:如便携式医疗设备、TWS耳机充电仓、智能穿戴设备中的负载开关与电池保护电路;  
✅ 电机驱动:驱动小型直流有刷电机(如风扇、微型泵)或步进电机的H桥低侧开关;  
✅ LED驱动与背光控制:在手机/平板OLED背光或RGB LED调光电路中作PWM开关;  
✅ 工业与IoT终端:PLC模块、传感器节点中的信号切换、继电器替代及过流保护开关。

其小尺寸、低功耗和逻辑电平兼容性(Vgs(th)低至1.0–2.5V,可直接由MCU GPIO驱动)特别适用于空间受限、需高能效与简化设计的嵌入式系统。注意实际使用时需合理布局散热路径(PCB铜箔散热),并避免雪崩应力,以确保长期可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
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