Datasheet下载- 型号： RP1L080SNTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1L080SNTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1L080SNTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1L080SNTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1L080SNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1L080SNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1L080SNTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 80 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.7 nC）和高开关效率等特点。其额定电压为30 V，连续漏极电流达2.5 A（Ta = 25°C），适合低压、中等功率的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、相机闪光灯控制、USB接口电源开关等，得益于其小尺寸与低功耗特性； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压（Buck/Boost）或升降压（Buck-Boost）电路中用作高效整流开关，提升转换效率； ✅ 负载开关（Load Switch）：用于系统级电源域控制，实现上电时序管理、待机功耗优化及短路保护配合； ✅ 电机驱动与继电器替代：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）、电磁阀或LED阵列的PWM调光/调速控制； ✅ 电池供电系统保护电路：如过流检测、反向电压防护或电池充放电路径切换（配合专用IC使用）。 该器件支持逻辑电平驱动（3.3 V/5 V MCU可直接驱动），无需外置驱动电路，简化设计并节省PCB空间，特别适用于对体积、能效与成本敏感的消费类及工业IoT终端产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1L080SNTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1L080SNTRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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