Datasheet下载- 型号： RP1E090XNTCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E090XNTCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E090XNTCR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E090XNTCR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1E090XNTCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1E090XNTCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E090XNTCR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型TSMT6封装（2.0mm × 2.0mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅9.0mΩ @ VGS=4.5V）、低栅极电荷（Qg典型值4.5nC）及快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流ID可达7.5A（Tc=25℃），适合中低电压、中等电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的DC-DC同步整流、负载开关或电池保护电路； ✅ LED驱动电路：用于背光或指示灯的PWM调光控制，得益于低RDS(on)与快速响应，可提升能效并减小发热； ✅ 电机驱动模块：在微型直流电机（如振动马达、小风扇）的H桥或单路驱动中作为开关元件； ✅ USB PD/快充协议相关电路：用作VBUS路径开关或过流保护开关，满足紧凑布局与高可靠性需求； ✅ 工业与IoT传感器节点：在低功耗MCU供电系统中实现高效电源切换或外设使能控制。 该器件支持4.5V逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），具备内置ESD保护（HBM ±2000V），且符合AEC-Q101（车载级）标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证，但RP1E090XNTCR为通用工业级，部分衍生型号才明确车规），广泛适用于对尺寸、效率和响应速度有较高要求的消费类与工业类嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1E090XNTCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E090XNTCRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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