Datasheet下载- 型号： RP1E075RPTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E075RPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E075RPTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E075RPTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1E075RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1E075RPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E075RPTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT6封装，具有低导通电阻（Rds(on) typ. 7.5 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及优良热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、平板、基站电源模块等中低压（≤30V输入）同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），提升效率与功率密度； - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如TWS耳机、智能手表、IoT传感器节点）中用作电池供电路径控制、外设供电启停，支持快速关断与低静态功耗； - 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵、摄像头云台）的H桥或单路驱动，满足小电流（连续ID=7.5A，脉冲ID=20A）、高频PWM调速需求； - LED驱动与背光控制：用于手机/显示器背光LED的恒流调节或区域调光开关，利用其低Rds(on)减小发热，提高能效。 该器件具备100%无铅、符合RoHS/REACH标准，内置ESD保护（HBM ±2kV），适合高可靠性、紧凑型设计。需注意PCB布局优化散热，并确保栅极驱动电压（推荐4.5–12V）与瞬态抑制以保障稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1E075RPTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E075RPTRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Ta） |
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