RP1E050RPTR产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E050RPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供RP1E050RPTR价格参考以及ROHM SemiconductorRP1E050RPTR封装/规格参数等产品信息。 你可以下载RP1E050RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有RP1E050RPTR详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RP1E050RPTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅5.0mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈10nC）和高开关效率等特点。其额定电压为30V，连续漏极电流达12A（Tc=25℃），适用于中低电压、中等电流的高效开关场景。

典型应用场景包括：  
✅ DC-DC电源转换器：如同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备、USB PD电源适配器及主板VRM模块；  
✅ 负载开关（Load Switch）：用于智能终端（智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的电源域控制，实现快速启停与过流保护；  
✅ 电机驱动电路：驱动小型直流有刷电机或步进电机的H桥低端开关，常见于打印机、POS机、家电控制板；  
✅ LED背光/照明驱动：作为PWM调光的高速开关元件，支持高频调光且温升低；  
✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断等保护功能。

其TSOP-6封装尺寸小（约3.0×2.8mm）、热性能优，配合ROHM优化的栅极驱动兼容性，特别适合空间受限、强调能效与可靠性的消费电子与工业嵌入式系统。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘并匹配驱动能力，以发挥最佳性能。

RP1E050RPTR产品简介：

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RP1E050RPTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅5.0mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈10nC）和高开关效率等特点。其额定电压为30V，连续漏极电流达12A（Tc=25℃），适用于中低电压、中等电流的高效开关场景。

典型应用场景包括：  
✅ DC-DC电源转换器：如同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备、USB PD电源适配器及主板VRM模块；  
✅ 负载开关（Load Switch）：用于智能终端（智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的电源域控制，实现快速启停与过流保护；  
✅ 电机驱动电路：驱动小型直流有刷电机或步进电机的H桥低端开关，常见于打印机、POS机、家电控制板；  
✅ LED背光/照明驱动：作为PWM调光的高速开关元件，支持高频调光且温升低；  
✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断等保护功能。

其TSOP-6封装尺寸小（约3.0×2.8mm）、热性能优，配合ROHM优化的栅极驱动兼容性，特别适合空间受限、强调能效与可靠性的消费电子与工业嵌入式系统。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘并匹配驱动能力，以发挥最佳性能。