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- 型号： RP112N121D-TR-FE
- 制造商： Ricoh Company, Ltd.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP112N121D-TR-FE由Ricoh Company, Ltd.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP112N121D-TR-FE价格参考。Ricoh Company, Ltd.RP112N121D-TR-FE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP112N121D-TR-FE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP112N121D-TR-FE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP112N121D-TR-FE 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能低压差（LDO）线性稳压器，输出电压固定为1.2 V，最大输出电流达300 mA，具有超低静态电流（典型值仅1.0 µA）、高纹波抑制比（@1 kHz达75 dB）及优异的负载/线路瞬态响应。 其典型应用场景包括： • 便携式与电池供电设备：如蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机等，得益于超低静态电流和关断电流（<0.1 µA），显著延长纽扣电池或锂聚合物电池续航； • 低功耗微控制器（MCU）与传感器供电：为ARM Cortex-M系列、RISC-V MCU及温湿度、加速度计等传感器提供干净、稳定的1.2 V核心电压，满足其低噪声、低电压内核供电需求； • 可穿戴设备与IoT终端：在空间受限的0.65 mm薄型SOT-23-5封装下，支持高集成度设计，同时具备-40°C至85°C宽温工作范围，适应严苛环境； • FPGA/CPLD I/O或辅助电源轨：作为次级LDO为特定接口或模拟模块提供低噪声偏置电压； • 对EMI敏感的射频系统：无开关噪声，适用于与Wi-Fi/BLE RF前端共板布局，避免干扰。 该器件符合AEC-Q100（Grade 2）汽车标准（部分版本），亦可用于工业控制与医疗电子等对可靠性要求较高的场景。
产品参数
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