【未分类_RD2.0F(N)】封装/厂家_RD2.0F(N)中文资料_价格

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型号： RD2.0F(N)
制造商： RNS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RD2.0F(N)由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RD2.0F(N)价格参考。RNSRD2.0F(N)封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RD2.0F(N)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RD2.0F(N) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RD2.0F(N) 是一款额定齐纳电压为2.0V、小功率（通常为200mW）、玻璃钝化封装的硅齐纳二极管，由ROHM（罗姆）生产。其典型应用场景包括：

1. 低电压基准源：因2.0V齐纳电压精度高（容差通常±5%）、温度系数相对稳定（约−1.5 mV/°C），适用于便携式设备中对3V以下电源（如单节锂电或2节碱电供电系统）的精密电压参考，例如ADC基准、比较器阈值设定。

2. 过压保护与钳位：在信号线（如I²C、USB D+/D−、传感器模拟输出）中，与限流电阻配合，将瞬态电压钳位于2.0V左右，防止后级CMOS器件（如MCU GPIO）因负向电压或ESD而损坏。

3. 低功耗稳压：为超低功耗电路（如实时时钟RTC、EEPROM写入电路、微弱传感器偏置）提供局部2.0V稳压，替代LDO以节省静态电流（其反向漏电流仅数μA，待机功耗极低）。

4. 温度补偿辅助元件：因其负温度系数特性，可与其他正温度系数元件（如晶体管BE结）搭配，构建简易温度补偿电路。

需注意：RD2.0F(N) 最大稳定电流约5mA，不适用于大电流稳压；工作时须串联限流电阻，并确保功耗≤200mW。广泛用于消费电子、工业传感器模块、汽车电子（非安全关键子系统）及IoT终端等对成本、尺寸和功耗敏感的场景。

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