Datasheet下载- 型号： R1WV3216RBG-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1WV3216RBG-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1WV3216RBG-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1WV3216RBG-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1WV3216RBG-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1WV3216RBG-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该器件“R1WV3216RBG-7SI#B0”实为瑞萨电子（Renesas Electronics）出品的CMOS静态RAM（SRAM），非“unknow”品牌——“unknow”应属误标或信息缺失。其正确型号为R1WV3216RBG-7SI#B0，属于32Mb（4M×8位）高速异步SRAM，工作电压3.3V，访问时间7ns（-7SI后缀表示7ns速度等级），工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），采用54引脚TSOP II封装。 典型应用场景包括： 1. 工业控制设备：如PLC、HMI人机界面、运动控制器等，需高速、低延迟、高可靠性的临时数据缓存； 2. 通信设备：路由器、交换机中的报文缓冲、FIFO暂存及协议处理中间存储； 3. 嵌入式系统：DSP/FPGA协处理器的外部高速缓存，用于图像处理、实时信号分析等对存取速度敏感的任务； 4. 医疗电子与测试仪器：如数字示波器、逻辑分析仪中用于高速采样数据的暂存； 5. 汽车电子（符合AEC-Q100可选版本）：车载信息娱乐系统或ADAS域控制器中作为短期数据缓冲（需确认具体批次是否通过车规认证）。 该SRAM无内置电池、不具非易失性，断电即丢失数据，故适用于需超快读写、但无需掉电保存的场景，常作为CPU/SoC片外高速缓存或FPGA外挂存储。其工业级温宽与高抗干扰设计，使其在严苛环境中仍保持稳定性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 32MBIT 70NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1WV3216RBG-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-BGA |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 32M（2M x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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