Datasheet下载- 型号： R1LV1616RSD-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV1616RSD-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV1616RSD-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV1616RSD-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV1616RSD-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV1616RSD-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV1616RSD-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为1Mb（64K × 16位），工作电压为3.3V，访问时间典型值为5ns，采用54引脚TSOP-II封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并支持掉电模式。 其主要应用场景包括： - 工业自动化设备：用于PLC、HMI、运动控制器等需高可靠性、快速数据存取的实时控制系统； - 通信基础设施：在交换机、路由器、基站基带单元中作为缓存或帧缓冲存储器，满足低延迟与稳定运行需求； - 嵌入式系统与网络终端：如POS机、智能电表、网关设备中，承担临时数据暂存、协议栈处理或FIFO缓冲功能； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量采样数据的设备； - 汽车电子（非安全关键域）：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示控制等符合工业温度等级的车载子系统（注：该型号非AEC-Q100认证，不用于ASIL安全相关功能）。 该器件凭借低功耗、高速响应及宽温特性，在对实时性、稳定性要求较高的中高端嵌入式场景中具有实用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 16MBIT 55NS 52TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV1616RSD-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 16M（2M x 8，1M x 16） |
| 封装/外壳 | 52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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