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型号： R1LV0216BSB-7SI#B0
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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R1LV0216BSB-7SI#B0产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0216BSB-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0216BSB-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0216BSB-7SI#B0封装/规格：存储器， SRAM Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 70ns 44-TSOP II。您可以下载R1LV0216BSB-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0216BSB-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America的R1LV0216BSB-7SI#B0是一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为256K × 8位（即2兆位），采用3.3V供电，访问时间典型值为70纳秒。该产品属于高性能异步SRAM，适用于对稳定性和响应速度要求较高的嵌入式系统。

其主要应用场景包括：工业自动化控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）和工控机，用于实时数据缓存和程序运行；网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，作为数据缓冲存储器，确保信息快速读写与传输；医疗电子设备中用于图像处理或监测数据的临时存储；以及测试测量仪器，如示波器和逻辑分析仪，依赖其高可靠性和快速响应能力进行实时数据采集与处理。

此外，该器件符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），适合在严苛环境下稳定运行，同时具备高抗干扰能力和长寿命特性，广泛应用于需要长期稳定工作的嵌入式系统中。R1LV0216BSB-7SI#B0采用小型化SOP封装，有助于节省电路板空间，适用于空间受限但性能要求高的设计。总体而言，该SRAM是工业、通信和高端电子设备中理想的高速缓存解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP
产品分类	存储器
品牌	Renesas Electronics America
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	R1LV0216BSB-7SI#B0
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	44-TSOP II
包装	托盘
存储器类型	SRAM
存储容量	2M （128K x 16）
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	1
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	70ns