Datasheet下载- 型号： R1LP5256ESP-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESP-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESP-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESP-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESP-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESP-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP5256ESP-7SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为512K×8位（4Mb），工作电压为3.3V，访问时间典型值为7ns，采用54引脚TSOP-II封装。 该器件主要面向对可靠性、低功耗与快速存取有较高要求的工业及嵌入式应用场景。典型应用包括：工业自动化控制器（如PLC、HMI人机界面）、通信设备中的缓存/缓冲存储（如路由器、基站基带模块）、医疗电子设备（如便携式监护仪、影像处理前端缓存）、测试测量仪器（示波器、逻辑分析仪的数据暂存）以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）或车载信息娱乐系统（IVI）中非易失性数据暂存桥接环节（需配合后备电源或NVSRAM方案）。 其-40℃～85℃宽温工业级工作范围、低待机电流（典型值≤1μA）及抗干扰设计，使其适用于严苛环境下的实时数据暂存任务。需注意：该型号为异步SRAM，不具掉电数据保持能力，若需非易失性，须外加电池或超级电容支持；且已停产（EOL），现多用于存量设备维护或替代方案评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESP-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 70ns |
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