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- 型号： R1LP5256ESA-7SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESA-7SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESA-7SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESA-7SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESA-7SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESA-7SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP5256ESA-7SI#S0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为512K×8位（即4Mb），工作电压为3.3V，访问时间典型值为7ns，采用44引脚SOJ（Small Outline J-Lead）封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并符合无铅（Pb-free）和RoHS标准。 该器件主要面向对可靠性、低功耗与快速存取有较高要求的嵌入式应用场景，典型应用包括：工业自动化控制器（如PLC、HMI缓存）、通信设备中的缓冲存储（如路由器/交换机的数据包缓存、FIFO暂存）、测试测量仪器（示波器、逻辑分析仪的实时数据采集缓存）、医疗电子设备（如便携式监护仪的临时图像/信号缓存），以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）或车载信息娱乐系统（IVI）中非易失性存储前的高速暂存环节（需配合后备电源或NVSRAM方案）。 需注意：R1LP5256ESA-7SI#S0 为异步SRAM，不具掉电保持功能，故实际应用中若需数据断电保存，须外加备用电池、超级电容或与EEPROM/FRAM协同使用。其7ns高速访问特性使其适用于替代老式高速SRAM（如IS61LV5128），在需要确定性低延迟响应的实时系统中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESA-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-TSOP（8x13.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-TSSOP （0.465"， 11.80mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 70ns |
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