Datasheet下载- 型号： R1LP0108ESA-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP0108ESA-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP0108ESA-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP0108ESA-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP0108ESA-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP0108ESA-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP0108ESA-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），访问时间为55ns，工作电压为3.3V，采用44-pin TSOP II封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备待机功耗极低（典型值仅1μA）等特性。 该器件主要面向对可靠性、低功耗和中等速度有要求的嵌入式应用场景，典型应用包括：工业自动化设备中的PLC数据缓存与参数存储；网络通信设备（如交换机、路由器）中的帧缓冲与临时报文暂存；医疗电子设备（如便携式监护仪）中需断电保持实时数据的中间缓存；汽车电子中的车身控制模块（BCM）或信息娱乐系统辅助存储（非安全关键路径）；以及测试测量仪器、POS终端、打印机控制器等嵌入式系统中作为CPU的高速外部数据RAM，用于暂存运行时变量、堆栈或通信缓冲区。 需注意：该芯片为异步SRAM，不带内置电池或非易失性，断电后数据丢失，因此适用于需高速读写但无需长期掉电保存的场景。其工业级温度与低功耗特性使其特别适合无风扇、宽温、电池供电或空间受限的嵌入式环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 55NS 32STSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP0108ESA-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-sTSOP |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP （0.465"， 11.80mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |
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