Datasheet下载- 型号： PZU5.6B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU5.6B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU5.6B,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU5.6B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU5.6B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU5.6B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU5.6B,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高精度、低功耗齐纳二极管，标称稳压值为5.6 V（容差±1%），最大稳定电流20 mA，采用小型SOD-323（SOT-323）封装。其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：在低压、小电流电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O口提供稳定5.6 V基准电压； 2. 过压保护与钳位：配合TVS或限流电阻，用于USB接口、GPIO引脚等信号线的ESD防护与电压钳位，防止瞬态过压损坏后级芯片； 3. 精密偏置电路：在运算放大器、比较器或模拟前端中提供温度稳定性好（典型TC ≈ ±2 mV/°C）、噪声低的偏置点； 4. 低成本LDO辅助电路：作为简易稳压反馈节点或启动电压检测元件； 5. 便携式与电池供电设备：得益于低动态阻抗（≈35 Ω）和低反向漏电流（<100 nA @ 1 V），适用于穿戴设备、IoT传感器节点等对功耗和空间敏感的应用。 该器件符合AEC-Q200标准（车规级可选版本），亦可用于工业控制、消费电子及通信模块中的基础稳压与保护功能。注意实际使用需串联限流电阻，并确保功耗不超过额定值（如PZU5.6B,115额定功率为250 mW）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU5.6B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU5.6B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2.5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3922-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V at 100 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 1.9 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU5.6B T/R |
| 齐纳电压 | 5.615 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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