Datasheet下载- 型号： PZU4.7B1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU4.7B1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU4.7B1,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU4.7B1,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU4.7B1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU4.7B1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PZU4.7B1,115是一款高精度、低功耗的4.7V齐纳二极管（单管），采用SOD-323小型表面贴装封装，具有±1%的严格电压容差（标称Vz=4.7V）、低动态阻抗（典型值15Ω）和优异的长期稳定性。其典型应用场景包括： 1. 精密电压基准与稳压：适用于低功耗便携式设备（如TWS耳机、智能手环、传感器节点）中为ADC、MCU复位电路或参考源提供稳定4.7V基准电压； 2. 过压保护与箝位：在I/O接口（如USB、GPIO、通信总线）中用作ESD防护后的二级电压箝位器件，防止瞬态过压损坏后级IC； 3. 电源轨监控与调节：配合分立元件构成简单LDO前级或反馈网络，用于3.3V/5V系统中实现低成本、小体积的稳压/限幅功能； 4. 工业与汽车电子辅助电路：满足AEC-Q200认证（该型号为车规级版本），可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的电压检测、偏置设置等非主电源场景。 其低泄漏电流（最大100nA @ 1V）、高可靠性及-65°C至+150°C宽温工作范围，特别适合空间受限、能效敏感及环境严苛的应用。注意：不适用于大电流稳压（额定功率仅250mW），需合理设计功耗与散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU4.7B1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU4.7B1,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3915-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V at 100 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU4.7B1 T/R |
| 齐纳电压 | 4.515 V |
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