Datasheet下载- 型号： PZU18B2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU18B2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU18B2,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU18B2,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU18B2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU18B2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PZU18B2,115是一款精密稳压齐纳二极管，标称稳压值为18 V（容差±2%），最大功率耗散为400 mW，采用SOD-323小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定18 V基准电压，尤其适用于对精度和温漂要求较高的场合（该器件具有较低的动态阻抗和良好温度稳定性）。 2. 过压保护与箝位：在电源输入端或敏感IC接口处，用作瞬态电压抑制辅助器件，将异常电压箝位在18 V左右，防止后级电路（如MCU、运放、通信接口）因过压损坏。 3. 电源反馈环路：在小功率开关电源或线性稳压器（如TL431替代方案）中，作为次级侧电压采样与误差放大反馈网络中的精密稳压元件。 4. 工业与汽车电子：符合AEC-Q200标准（PZU系列部分型号通过车规认证，需确认具体批次），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的12 V/24 V系统中的稳压与监测功能。 5. 便携式设备电源管理：因其小尺寸（SOD-323）、低漏电流（典型值<50 nA @ 13.5 V）和良好ESD防护能力（HBM ≥8 kV），适合用于电池供电设备中的电压监控与保护电路。 注意：实际应用中需配合限流电阻设计，并考虑功耗与散热；不适用于大电流稳压，宜搭配LDO或DC-DC使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 310MW SOD323F |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU18B2,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 13V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3876-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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