Datasheet下载- 型号： PZU12B3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU12B3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU12B3,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU12B3,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU12B3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU12B3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PZU12B3,115是一款12V、高精度（±3%容差）、低动态阻抗的齐纳二极管，采用SOD-323小尺寸表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为传感器、ADC/DAC参考源或微控制器电源提供稳定12V基准电压，适用于对精度和温漂要求较高的便携式设备； 2. 过压保护（OVP）电路：与TVS或MOSFET配合，用于电源输入端的钳位保护，防止瞬态过压损坏后级IC（如USB接口、工业I/O模块）； 3. 电源反馈环路：在低成本开关电源或LDO反馈网络中作为精密分压/误差检测元件，提升输出电压稳定性； 4. 电平转换与信号限幅：在通信接口（如RS-485、CAN总线）中限制信号摆幅，防止超出接收器耐压范围； 5. 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101标准，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的12V电源监控与稳压（需满足车规级温度范围−65°C至+150°C）。 该器件具备低漏电流（≤100nA @ 9.6V）、快速响应及优异长期稳定性，适合空间受限、可靠性要求高的消费电子、工业控制及汽车二级应用。注意：不适用于大功率耗散场景（额定功耗仅300mW），需配合合理散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU12B3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU12B3,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 9V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3860-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V at 100 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 8.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU12B3 T/R |
| 齐纳电压 | 12.34 V |
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